M4RE-4GSSA50M-F
Innodisk
Артикул: 10055100
Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 RDIMM 3200MT/s, 512Mx8, чип Sam, одноранговая, single side, ECC, -40...+85C
Товар снят с производства
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Количество контактов
288
Поддержка ECC
Да
Регистровая
Да
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
-40..85 °C
Габариты упаковки
Вес в упаковке
0.05 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Количество контактов
288
Поддержка ECC
Да
Регистровая
Да
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
-40..85 °C
Габариты упаковки
Вес в упаковке
0.05 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Количество контактов
288
Поддержка ECC
Да
Регистровая
Да
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
-40..85 °C
Габариты упаковки
Вес в упаковке
0.05 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Количество контактов
288
Поддержка ECC
Да
Регистровая
Да
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
-40..85 °C
Габариты упаковки
Вес в упаковке
0.05 кг
Документация
Документация
Документация
Документация
Заявка на подбор аналога
Innodisk
Артикул: 10055100







